W9812G6KH-6I TR vs W9812G6KH-6-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von W9812G6KH-6I TR von Winbond und W9812G6KH-6-TR von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Winbond
W9812G6KH-6I TR W9812G6KH-6I TR - 128Mb SDRAM 166MHz 3.3V | Winbond

W9812G6KH-6I TR - 128Mb SDRAM 166MHz 3.3V | Winbond

W9812G6KH-6I TR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter W9812G6KH-6I TR W9812G6KH-6-TR
Marke Winbond Winbond
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $2,55
Speichertyp SDR SDRAM SDRAM (Synchronous DRAM)
Speichergröße 128 Mbit 128 Mbit (8M × 16)
Speicherorganisation 8M x 16 (2M words x 4 banks x 16 bits) 2M × 4 banks × 16 bits
Clock Frequency 166 MHz —
Clock Cycle Time 5 ns (-6 speed grade) —
CAS-Latenz CL3 Programmable 2 or 3
Versorgungsspannung 3.3 V 3.3 V
Schnittstellentyp LVTTL Parallel LVTTL
Number of Banks 4 —
Refresh 4096 refresh cycles per 64 ms —
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page 1, 2, 4, 8, Full Page
Betriebstemperatur -40C to +85C (industrial) 0 °C to +70 °C (commercial)
Gehäuse 54-TSOP II 54-TSOP II
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Data Bandwidth Up to 200M words per second Up to 200M words/sec
Speed Grades in Family -5, -5I, -5J, -6, -6I, -6J, -75 —
Clock Frequency (max) — 166 MHz
Access Time — 5 ns
Anzahl der Pins — 54
Self-Refresh Current — [DATA_NEEDED: self-refresh current typical value]
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]

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