1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1ED3122MC12HXUMA1 por Infineon y 1ED3127MU12FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 1ED3122MC12HXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,92 $0,74
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) —
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 —
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns 15 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 2 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Función — Single-channel isolated gate driver
Número de salidas — 1
Configuración de salida — High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Peak Output Current — 10 A (source/sink)
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

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