1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDI3033ASXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon y 1EDI3033ASXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1ED3124MC12HXUMA1 1EDI3033ASXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,45 $4,21
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Número de salidas 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Tiempo de subida 15 ns —
Tiempo de bajada 30 ns —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Encapsulado PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-20-91 (wide-body)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
Estado RoHS Compliant —
Función — Isolated single-channel gate driver
Technology — Coreless transformer isolation
Output Current (Source/Sink) — 12 A typical
Isolation Voltage (Vrms) — 5700 Vrms
Number of Channels — 1
Propagation Delay — 60 ns typical
Target Power Device — SiC MOSFET, IGBT
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Short-Circuit Protection — DESAT with programmable blanking
Miller Clamp — Active Miller clamp integrated
Bootstrap Diode — Integrated
Functional Safety — ISO 26262 ASIL D ready
Creepage Distance — 8 mm (typical for wide-body DSO-20)
Compliance — RoHS compliant

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