1EDN7550BXTSA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7550BXTSA1 por Infineon y 1ED3142MC12HXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7550BXTSA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,59 $1,32
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] 40 ns
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 °C to +150 °C —
Encapsulado PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Número de salidas — 2 (separate source/sink)
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

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