27C512-20HW vs 27C512-25 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 27C512-20HW por Fujitsu y 27C512-25 por Microchip Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Fujitsu
27C512-20HW 27C512-20HW - 512Kbit CMOS EPROM 200ns LCC32 | Fujitsu

27C512-20HW - 512Kbit CMOS EPROM 200ns LCC32 | Fujitsu

27C512-20HW ✗ Fin de vida
Microchip Technology
27C512-25 27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro 27C512-20HW 27C512-25
Marca Fujitsu Microchip Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Fin de vida Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,70 $3,20
Tamaño de memoria 512 Kbit (64K x 8) —
Tipo de memoria CMOS EPROM (UV / OTP) CMOS EPROM (UV / OTP)
Access Time 200 ns —
Tensión de alimentación 5 V +/-10% —
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) —
Organización de memoria 64K x 8 bit —
Programming Algorithm 100% Flashrite programming —
Pinout JEDEC-approved EPROM pinout —
Outputs Tri-state, O0 to O7 —
Control Signals CE (active-low), OE (active-low) —
Encapsulado LCC32 (32-lead chip carrier) DIP-28
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Programming Voltage (VPP) [DATA_NEEDED: VPP voltage] —
Active Current [DATA_NEEDED: active supply current] —
Erase Method UV erase (UV variant) / OTP (windowless variant) UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant)
Manufacturer Fujitsu —
Memory Organization — 64K x 8 (524,288 bits)
Maximum Access Time — 250 ns
Supply Voltage (Read Mode) — 5 V +/- 10%
Standby Current (CMOS) — 20 uA typical
Operating Mode — Asynchronous
Tipo de salida — 3-state, common I/O
Pinout Standard — JEDEC-approved 28-pin
Programming Method — High-voltage EPROM programming (Flashrite type)
Access Time Guarantee — Any byte in less than 250 ns
Technology — CMOS floating gate
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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