2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon y 2EDN7534RXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL8033G4CXTMA1 2EDN7534RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,84 $0,40
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Número de salidas 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSSOP-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Función — Low-side gate driver
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Configuración de salida — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free — Yes

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