2EDN7534RXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDN7534RXTMA1 por Infineon y 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDN7534RXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,40 $2,84
Función Low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Configuración de salida Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado PG-TSSOP-8 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Número de salidas — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

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