AP63201WU-7 vs AP63205WU-7 Comparación
Comparación detallada lado a lado de AP63201WU-7 por Diodes Incorporated y AP63205WU-7 por Diodes Incorporated. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Diodes Incorporated
AP63201WU-7 - 2A 32V Sync Buck Converter, 22uA Iq | Diodes Inc
AP63201WU-7 ✓ ActivoDiodes Incorporated
AP63205WU-7 - 32V, 2A Sync Buck Converter, TSOT-23-6 | Diodes Inc
AP63205WU-7 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | AP63201WU-7 | AP63205WU-7 |
|---|---|---|
| Marca | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Categoría | DC-DC Converters | DC-DC Converters |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,45 | $0,20 |
| Topología | Synchronous Buck (Step-Down) | Synchronous Buck (Step-Down) |
| Rango de tensión de entrada | 3.8 V to 32 V | 3.8 V to 32 V |
| Continuous Output Current | 2 A | 2 A |
| Rango de tensión de salida | 0.8 V to VIN (Adjustable) | — |
| Reference Voltage Accuracy | 0.8 V ±1% | — |
| Frecuencia de conmutación | 500 kHz (fixed) | 1.1 MHz |
| High-Side MOSFET RDS(on) | 125 mΩ | — |
| Low-Side MOSFET RDS(on) | 68 mΩ | — |
| Corriente en reposo | 22 µA (ultralow Iq) | 22 µA |
| Light-Load Efficiency | Up to 80% at 1 mA, 88% at 5 mA | Up to 80 % at 1 mA; up to 88 % at 5 mA |
| Light-Load Mode | PFM (AP63201 only) | — |
| Control Method | Peak Current Mode with Internal Compensation | PWM (regardless of load) |
| Encapsulado | TSOT-26 (TSOT-23-6 Thin) | TSOT-23-6 (TSOT26) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating junction temperature range] | -40 °C to +85 °C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Tensión de salida | — | Fixed 5 V |
| High-Side MOSFET Rds(on) | — | 125 mΩ |
| Low-Side MOSFET Rds(on) | — | 68 mΩ |
| Internal Reference Voltage | — | 0.8 V ±1 % |
| Protection Features | — | Cycle-by-cycle peak current limit, hiccup-mode overload protection |