AS4C512M16D4A-62BCN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparación

Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4A-62BCN por Alliance Memory y MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Activo
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro AS4C512M16D4A-62BCN MT40A512M16JY-07EAIT:B
Marca Alliance Memory Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $7,20 $8,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit 8 Gbit
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Tensión de alimentación 1.2 V —
Velocidad de datos 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 MT/s
Latencia CAS 18 ns —
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (8x14)
Temperatura de funcionamiento 0°C to 95°C —
Tipo de montaje Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Interfaz POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
Estado RoHS Compliant —
Packaging Tray —
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Rango de temperatura de funcionamiento — -40°C to +105°C (AIT grade)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)
RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización