BSC014N04LSIATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC014N04LSIATMA1 por Infineon y BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC014N04LSIATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,66
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tradename OptiMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 79 W
Channel Type — N-Channel
Recuento de pines — 8
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (junction)

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