BSC014NE2LSIATMA1 vs IGD08N120S7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon y IGD08N120S7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 ✓ Activo
Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC014NE2LSIATMA1 IGD08N120S7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs IGBTs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $1,65
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) Trench Field Stop, 7th generation
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +150 °C -40C to +175C (industry grade)
Encapsulado PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — IGBT 7 (S7) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (Vce max) — 1200 V
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) — 24 A
Pulsed Collector Current (Icm) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Total Power Dissipation (Ptot) — 106 W
Gate-Emitter Voltage (Vge max) — [DATA_NEEDED: Vge max]
VCE(sat) at rated Ic — 1.65 V
Co-packaged Diode — Yes (anti-parallel emitter diode)
Configuration — Single

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