BSC018N04LSGATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC018N04LSGATMA1 por Infineon y BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSC018N04LSGATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,52 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | 125 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25°C | 2.5 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| JEDEC Qualification | Yes (qualified per JEDEC for target applications) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55 °C to +150 °C |
| Nivel MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |