BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon y BSC019N04NSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC022N04LS6ATMA1 BSC019N04NSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) OptiMOS (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 79 W —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Recuento de pines 8 —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mΩ
RDS(on) typ at VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 125 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C

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