BSC027N04LSGATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC027N04LSGATMA1 por Infineon y BSC021N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC027N04LSGATMA1 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSC027N04LSGATMA1 | BSC021N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,54 | $0,81 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | 83 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +150°C | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Nivel MSL | 1 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Part Number | — | BSC021N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | — | 226 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| Power Dissipation P_D (Tc=25°C) | — | 214 W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55 °C to +175 °C |
| Total Gate Charge Q_G typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| R_thJC thermal resistance max | — | [DATA_NEEDED: R_thJC] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Delivery Form | — | Tape & Reel (T&R) |