BSC030N03LSGATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC030N03LSGATMA1 por Infineon y BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC030N03LSGATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C -55C to +150C
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización