BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC042NE7NS3GATMA1 por Infineon y BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | NRND |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,24 | $1,10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 (100V) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 194 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 214 W |
| Qualification | — | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) |