BSC059N04LSGATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC059N04LSGATMA1 por Infineon y BSC035N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC059N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,48
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes

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