BSC059N04LSGATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC059N04LSGATMA1 por Infineon y BSZ130N03LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC059N04LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,41
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -55 C to +150 C (junction)
Encapsulado PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

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