BSC060N10NS3GATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC060N10NS3GATMA1 por Infineon y BSC047N08NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ Activo
Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC060N10NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6 mOhm —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 125 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 3.5 V —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 3 (N-channel trench)
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Sin halógenos [DATA_NEEDED: halogen status] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Part Number — BSC047N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-Resistance RDS(on) max — 4.7 mOhm at VGS=10 V
Power Dissition (Tc) — 125 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) — Normal level (typ 1.7 V)
Avalanche Rated — 100% tested
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C (Tj)
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización