BSC066N06NSATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC066N06NSATMA1 por Infineon y BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSC066N06NSATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,49 | $0,52 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55°C to +150°C | -55C to +150C |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | OptiMOS 5 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |