BSC0906NSATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC0906NSATMA1 por Infineon y BSC050N03LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSC0906NSATMA1 | BSC050N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,48 | $0,36 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | 80 A |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C (junction, typical) | -55 C to +150 C |
| Recuento de pines | 8 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC050N03LSGATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 5 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Nivel MSL | — | 1 |