BSC0906NSATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0906NSATMA1 por Infineon y BSC094N06LS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0906NSATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,38
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 63 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS OptiMOS™ 5 (logic-level)
RDS(on) max (typical reference) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] [DATA_NEEDED: Qg typ]
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, typical) —
Recuento de pines 8 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

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