BSC109N10NS3GATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC109N10NS3GATMA1 por Infineon y BSC019N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC109N10NS3GATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $1,78
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 63 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
RDS(on) Max 10.9 mOhm at VGS=10 V —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 5 (N-channel trench)
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) 26 nC —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +150 C
Recuento de pines 8 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Nivel MSL — 1
Avalanche Rated — Yes

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