BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC117N08NS5ATMA1 por Infineon y BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC117N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 50 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL 1 1 (unlimited)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C

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