BSC117N08NS5ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC117N08NS5ATMA1 por Infineon y IPD33CN10NGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IPD33CN10NGATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon | PG-TO252
IPD33CN10NGATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | BSC117N08NS5ATMA1 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,46 | $0,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS (Trench) |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Recuento de pines | 8 | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | -55C to +175C (TJ) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Nivel MSL | 1 | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |