BSP135H6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSP135H6327XTSA1 por Infineon y BSP315PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSP135H6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,43 | $0,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | 1.8 W (Ta) |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V (max) |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| Encapsulado | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | OptiMOS (enhancement mode) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C (junction, typical) | -55 C to +150 C (junction) |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Nivel MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |