BSS123NH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS123NH6327XTSA1 por Infineon y BSS126H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS123NH6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,09 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (junction, typical)
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Recuento de pines — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes (Infineon 'green' package)

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