BSS138LT1G vs 2N7002L Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS138LT1G por onsemi y 2N7002L por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS138LT1G 2N7002L
Marca onsemi onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,08 $0,03
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 1 V to 2.5 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
Encapsulado SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Estado RoHS Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Technology — High cell density trench MOSFET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Manufacturer — onsemi

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