BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ018NE2LSIATMA1 por Infineon y BSC010NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ018NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -55C to +150C (TJ)
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) OptiMOS (Trench)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series / Family — OptiMOS 25V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Recuento de pines — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización