BSZ068N06NSATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ068N06NSATMA1 por Infineon y ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ068N06NSATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,62
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mΩ @ VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 46 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55 C to +175 C
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Estado RoHS — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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