BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon y BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ110N08NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,44 $1,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 150V
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Sin halógenos — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización