BTS3110NHUMA1 vs BTS3405GXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3110NHUMA1 por Infineon y BTS3405GXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3110NHUMA1 BTS3405GXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,55
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Family Classic HITFET —
Number of Channels 1 2 (independent)
Switch Type N-Channel (1:1) N-Channel MOSFET (low-side)
Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS max) 42 V —
Continuous Drain Current 1.4 A —
On-Resistance (RDS(on) typ) 200 mOhm —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS (3.3 V and 5 V) CMOS/TTL logic-level
On-State Input Voltage (VIH) [DATA_NEEDED: VIH value] —
Off-State Input Voltage (VIL) [DATA_NEEDED: VIL value] —
Status Flag Output Open-drain diagnostic output —
Protection Features ESD, thermal shutdown, over-load current limit Overcurrent, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C -40 °C to +150 °C
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-4) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes - 12 V automotive applications —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — HITFET (Classic)
Función — Dual-channel low-side power switch
Continuous Output Current — 350 mA per channel
On-State Resistance (Rds_on) — 0.9 Ω (max)
Maximum Drain Voltage — 42 V
Package Type — PG-DSO-8 (8-pin SOIC)

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