CY14B101J2-SXIT vs CY14B101J2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de CY14B101J2-SXIT por Infineon y CY14B101J2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro CY14B101J2-SXIT CY14B101J2
Marca Infineon Infineon
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,65 $0,19
Tipo de memoria nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tamaño de memoria 1 Mbit (128K x 8) —
Interfaz I2C (2-wire serial) I2C (Serial)
Max Clock Frequency 3.4 MHz 3.4 MHz
Tensión de alimentación de funcionamiento 3.0 V (B series core range, 2.7V to 3.6V per datasheet) —
Organización de memoria 128K words x 8 bits 128K x 8
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention duration] 20 years
Store Cycles [DATA_NEEDED: non-volatile store cycle endurance] [DATA_NEEDED: minimum non-volatile store cycles]
SRAM Read/Write Cycles Infinite (unlimited) Unlimited (per nvSRAM architecture)
Temperatura de funcionamiento -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Type SOIC-16, 0.300 inch (MO-119) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Pins 16 —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Compliant (SOIC-16, RoHS compliant per digchip) RoHS Compliant
Packaging Tape & Reel (T suffix) —
Product Series CY14B101J2 —
Real-Time Clock [DATA_NEEDED: RTC availability confirmation] —
Density — 1 Mbit (1049 kbits)
Tensión de alimentación — [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Address Pins — A0, A1, A2
Automatic Store — Yes (internal power-fail detection)
Encapsulado — 16-SOIC (MO-119, 0.300 inch)
Real Time Clock — [DATA_NEEDED: RTC availability]

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