EP2A70B724C9 vs EP2A70B724I7N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP2A70B724C9 por Altera y EP2A70B724I7N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP2A70B724C9 EP2A70B724I7N
Marca Altera Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Obsolete Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $998,27 $218,00
Family APEX II APEX II
Logic Elements 67200 67,200 cells
Embedded Memory (bits) 1146880 —
User I/O Count 540 —
Encapsulado 724-BBGA, FCBGA (FineLine BGA) 724-pin FCBGA
Process Technology 0.15 um all-layer copper (up to 8 metal layers) 0.15 um CMOS
LVDS Channels Up to 8 LVDS pairs at 1 Gbps —
I/O Standards Supported True-LVDS, LVPECL, PCML, HyperTransport LVDS, PCI-X, HSTL, SSTL, LVTTL, LVCMOS
Embedded Memory Type ESB (synchronous, self-timed WE, true dual-port / simple dual-port / single-port) —
PLLs Up to 4 —
Speed Grade C9 (commercial, speed bin 9) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C (commercial) —
Supply Voltage (core) 1.5 V —
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Non-compliant (per IC-Components listing) unknown
System Gates — 3,000,000
Maximum Operating Frequency — 420 MHz
Core Supply Voltage (VCCINT) — 1.5 V
User I/O Pins — 536
Propagation Delay — 2.17 ns
Operating Temperature Grade — Industrial (-40C to +100C, suffix I)
Configuration Modes — Passive Serial, Passive Parallel, JTAG
Embedded Memory — [DATA_NEEDED: ESB memory size]

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