EP2C50U484C8N vs EP2C50U484C6 Comparación
Comparación detallada lado a lado de EP2C50U484C8N por Intel y EP2C50U484C6 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | EP2C50U484C8N | EP2C50U484C6 |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Intel |
| Categoría | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Estado del ciclo de vida | Activo | NRND |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $155,85 | $115,42 |
| Series | Cyclone II | — |
| Family | Cyclone II (90 nm) | Cyclone II |
| Logic Elements (LE) | 50,528 | — |
| Embedded Memory (M4K blocks) | 594,432 bits (129 M4K blocks) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 86 | 86 |
| PLLs | 4 | 4 |
| User I/Os | 294 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| Speed Grade | C8 (commercial, mid-tier) | C6 (commercial, -6) |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| Encapsulado | 484-ball FBGA (UBGA-484) | 484-ball FineLine BGA (U484), 19x19 mm, 1.0 mm pitch |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Process Technology | 90 nm low-k CMOS | 90 nm CMOS SRAM |
| Configuration Methods | Passive Serial, Active Serial, JTAG | — |
| Memory Interface Support | DDR, DDR2, SDR SDRAM, QDRII SRAM | — |
| Estado RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Nivel MSL | 3 (168 hours) | — |
| Logic Elements | — | 50,528 |
| Embedded Memory (bits) | — | 594,432 |
| M4K RAM Blocks | — | 250 |
| Maximum User I/O | — | 294 |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Configuration Method | — | AS, PS, JTAG |