EP2S90F1020I4 vs EP2S90F1020I4GA Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP2S90F1020I4 por Intel y EP2S90F1020I4GA por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP2S90F1020I4 EP2S90F1020I4GA
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida NRND Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2.200,00 $220,00
Family Stratix II Stratix II
Logic Elements (LE) 90,960 —
Equivalent LEs (with ALM) up to 180,000 —
Embedded Memory (bits) 4,520,488 —
Total RAM Blocks 758 (M512/M4K/M-RAM) —
DSP Blocks (18x18 multipliers) 12 —
Maximum User I/O 758 758
Transceivers Up to 12 (6.375 Gbps) —
Process Technology 90 nm all-layer copper SRAM, 1.2 V core 90 nm CMOS
Encapsulado 1020-ball FBGA (33x33 mm) 1020-ball FC-FBGA
Temperatura de funcionamiento -40C to +100C (industrial, I4 grade) -40C to +100C (industrial)
Supply Voltage (VCCINT) 1.2 V —
Supply Voltage (VCCIO) 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) —
Tipo de montaje Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Nivel MSL 3 —
Lead-Free / RoHS Compliant —
Logic Elements (LEs) — 90,960
Embedded Memory — 4,520,488 bits (approximately 4.4 Mbit)
Embedded 18x18 Multipliers — 192
Speed Grade — I4 (mid-performance, industrial)
Supply Voltage - Core (VCCINT) — 1.2 V nominal
Configuration Modes — Passive Serial, Fast Passive Parallel, JTAG
PLLs — 4 enhanced PLLs
External Memory Support — DDR, DDR2, QDRII, SDR
Estado RoHS — Compliant
Program Memory Type — SRAM (volatile, requires configuration device)

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