EP3SE110F780I3N vs EP3SE110F780I2N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3SE110F780I3N por Intel y EP3SE110F780I2N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3SE110F780I3N EP3SE110F780I2N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida NRND Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1.950,00 $1.390,00
Family Stratix III E Stratix III Enhanced
Logic Elements 107,500 107,500
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 4,300
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) —
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) —
Process Technology 65 nm CMOS 40 nm CMOS
Encapsulado 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-ball FBGA (29x29 mm)
Temperatura de funcionamiento -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) -40C to +100C (Industrial)
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) 2
PLLs Yes, with global and regional clock networks 8
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
Embedded Memory (M9K + M144K) — 8,244 Kbits
Embedded Multipliers (18x18) — 528
User I/O Pins — 488
Transceiver Channels — 12 (up to 8.5 Gbps)
Hard Memory Controllers — 4
Supply Voltage (Core) — [DATA_NEEDED: VCCINT nominal]
LVDS Support — Up to 1.4 Gbps

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