EP4CE15F1717N vs EP4CE15E22C7N Comparación
Comparación detallada lado a lado de EP4CE15F1717N por Intel y EP4CE15E22C7N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | EP4CE15F1717N | EP4CE15E22C7N |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Intel |
| Categoría | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $35,20 | $105,40 |
| Series | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | 15,408 | — |
| Embedded Memory | 516,096 bits (56 M9K blocks) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| Maximum User I/Os | 165 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Process Technology | 60 nm low-power | 60 nm low-power CMOS |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C (commercial "N" suffix) | — |
| Encapsulado | 256-ball F-BGA (FBGA-256) | — |
| Package Pitch | 1.0 mm | — |
| LVDS Performance | Up to 343 Mbps | — |
| Speed Grade | 7 | -7 |
| Configuration Mode | External serial/parallel flash (volatile SRAM) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 3 (168 hours) | — |
| Logic Elements | — | 15,408 |
| Total Memory Bits | — | 516,096 |
| Number of I/O Pins | — | 81 |
| Supply Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0 °C to +85 °C (commercial) |
| Package Type | — | 144-pin EQFP with exposed pad |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 56 |
| Configuration Modes | — | AS, PS, JTAG, Fast Passive Parallel |
| Lead Free | — | Yes |