EPC1TI32 vs EPC2TC32-U-CAF48 Comparación
Comparación detallada lado a lado de EPC1TI32 por Altera y EPC2TC32-U-CAF48 por Altera. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | EPC1TI32 | EPC2TC32-U-CAF48 |
|---|---|---|
| Marca | Altera | Altera |
| Categoría | Memory ICs | FPGA & CPLD |
| Estado del ciclo de vida | Obsolete | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,95 | $9,95 |
| Tipo de memoria | FPGA Configuration PROM (Serial, OTP) | — |
| Memory Density | 1 Mbit (1,046,496 bits) | — |
| Interfaz | Altera 4-pin serial (DCLK, DATA, nCONFIG, nSTATUS) | Serial synchronous (Altera FPGA configuration) |
| Programming Interface | JTAG (IEEE 1149.1) | IEEE 1149.1 JTAG |
| Tensión de alimentación | 3.3 V (derived from VCCIO of target FPGA) | 3.3 V |
| Encapsulado | 32-pin TQFP (7 x 7 mm) | 32-TQFP (7x7 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -40 C to +85 C (industrial) | -40C to +85C (industrial, per data sheet) |
| Compatible FPGAs | ACEX 1K, FLEX 10K, FLEX 6000, MAX 9000 | — |
| Replacement For | EPC1064, EPC1441 | — |
| Configuration Software | Quartus II, MAX+PLUS II | — |
| Programming Hardware | MasterBlaster / ByteBlasterMV / USB-Blaster | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: rohs status from datasheet] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Tamaño de memoria | — | 1.6 Mb |
| Función | — | In-system programmable configuration PROM |
| Control Pins | — | OE, nCS, DCLK |
| Cascadable | — | Yes (DATA output supports daisy-chain) |
| Storage Technology | — | EPROM |
| Recuento de pines | — | 32 |
| DC Input Min | — | -0.3 V |
| DC Input Overshoot | — | 7.0 V for <100 mA, <20 ns |
| DC Input Undershoot | — | -2.0 V for <100 mA, <20 ns |