EPF6010ATC100-3N vs EPF6010ATI100-2N Comparación
Comparación detallada lado a lado de EPF6010ATC100-3N por Intel y EPF6010ATI100-2N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
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EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel
EPF6010ATC100-3N ⚠ Última compraComparación de especificaciones
| Parámetro | EPF6010ATC100-3N | EPF6010ATI100-2N |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Intel |
| Categoría | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Estado del ciclo de vida | Última compra | Obsolete |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,95 | $11,50 |
| Family | FLEX 6000 | FLEX 6000 |
| Logic Elements / Cells | 880 | 880 |
| Equivalent Gate Count | 10,000 gates | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 88 | 88 |
| User I/Os | 71 | — |
| Supply Voltage (Operating) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| Maximum Internal Frequency | 142.86 MHz | 166.67 MHz |
| Process Technology | 0.42 µm CMOS | 0.42 µm CMOS SRAM |
| Speed Grade | -3 | — |
| Encapsulado | 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm) | TQFP-100 (Fine-line BGA-100 equivalent land pattern) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C to +70 °C (commercial) | — |
| Programming Method | In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster | — |
| Nivel MSL | 3 (168 hours) | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Estado RoHS | Compliant | Unknown - legacy Altera-era product |
| Device Type | — | FPGA (Field Programmable Gate Array) |
| System Gates | — | 10,000 |
| Maximum User I/O | — | 71 |
| Core Supply Voltage | — | 3.3 V |
| I/O Supply Voltage | — | 3.3 V (5 V tolerant input) |
| Configuration Method | — | SRAM, serial/parallel via EPC PROM or JTAG |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40 °C to +85 °C (Industrial) |
| Lead-Free | — | Unknown |