H5AN8G4NCJR-XXC vs IS43TR16256AL-125KBL Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G4NCJR-xxC por SK hynix y IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Activo
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G4NCJR-xxC IS43TR16256AL-125KBL
Marca SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,50 $5,60
Tipo de memoria DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8Gb —
Organización de memoria x4 (H5AN8G4NCJR) —
Tensión de alimentación 1.2V 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] 1600 Mbps
Encapsulado FBGA 96-TWBGA (9x13mm)
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C ~ 95°C
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Prefetch 8-bit —
Burst Length 8 (BL8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
Tamaño de memoria — 4Gbit (256M x 16)
Interfaz — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
Estado RoHS — Compliant
Number of Terminals — 96

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización