H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix y H5AN8G6NAFR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,74 | $0,12 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 2400 MT/s | 2400 MT/s |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | 0°C to +85°C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |