H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix y H5AN8G6NAFR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NAFR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-VKC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,74 $6,25
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Tensión de alimentación 1.2 V —
Velocidad de datos 2400 MT/s —
Encapsulado FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
Temperatura de funcionamiento 0°C to +85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
RoHS Compliant Yes —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification]
Core Supply Voltage — 1.2 V
Technology — CMOS
Speed Grade — -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering)
Data Rate Class — Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code)
Family — H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR
Tipo de montaje — Surface Mount (BGA)
Estado RoHS — Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant
Application — Main memory (high density, high bandwidth)
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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