H5AN8G8NDJR vs MT40A1G8SA-062E Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NDJR por SK hynix y MT40A1G8SA-062E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NDJR | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $24,50 | $6,05 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| Encapsulado | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| Latencia CAS | 22 (typical) | — |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | BL8, BC4 (burst chop) |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Características | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |