H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NCR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Mobile LPDDR4
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,50 $9,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gb (2 GB)
Organización de memoria 1G x 16 1G x 16
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Encapsulado FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96 (PBGA-96)
Tipo de montaje Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) [DATA_NEEDED: Refresh scheme]
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
Tipo de interfaz Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Estado del ciclo de vida Active production —
Interfaz — CMOS, Double Data Rate IV
Die Revision — C
Speed Grade — [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate]
Configuration — 1 Channel, 1 Rank
Factory Packing Quantity — [DATA_NEEDED: Standard packing quantity]
Application — Main memory, embedded computing, industrial controllers

Hojas de datos y recursos

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