H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-VKC por SK hynix y H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NBJR-VKC | H5ANAG8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $15,00 | $8,60 |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Part Number | H5ANAG6NBJR-VKC | — |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16Gb (2GB) | — |
| Organización de memoria | [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (DDR4 standard) | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) |
| Interfaz | DDR4, SSTL-12 | — |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-78 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C (family grade reference) | 0C to +85C |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free |
| Density | — | 16 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) |
| Standby Current | — | 30 mA (operating, per distributor listing) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Refresh Interval | — | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] |