H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XN por SK hynix y H5ANAG8NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCJR-XN | H5ANAG8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $71,20 | $65,63 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (1G x 16) | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-96 (96-ball) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Package Width | 8 mm | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A (per Vyrian listing) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] | — |
| Process Node | — | 1z nm (non-EUV) |
| Die Bit Density | — | 0.296 Gb/mm2 |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | — | 25.6 GB/s at DDR4-3200 |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Base Part Number Family | — | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) |
| Speed Grade Suffix | — | -XNC (0~95C commercial) |