H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCMR-VKI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix y H5ANAG6NCMR-VKI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCMR-VKI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $84,97 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile) |
| Tamaño de memoria | 16 Gbit | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | 1G x 16 | x16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps/pin | [DATA_NEEDED: exact VK speed bin Mbps] |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Encapsulado | FBGA-96 | FBGA, surface mount |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | Tray / Plateau |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | VK |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Product Status | — | Active |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: -VKI industrial temperature range] |
| Power Class | — | Normal Power |
| Family Speed Options | — | UH / VK / WM / XN |