H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-PBC por SK hynix y H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NCJR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $70,20 $84,97
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) —
Organización de memoria x16 (1G x 16) —
Tensión de alimentación 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Encapsulado FBGA-96 FBGA-96
Number of Terminals 96 balls —
Temperatura de funcionamiento 0C to 85C —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Estado RoHS Compliant Compliant
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Tamaño de memoria — 16 Gbit
Memory Organization — 1G x 16
Velocidad de datos — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Interfaz — Parallel
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Packaging — Tray

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