H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-RDC por SK hynix y H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCR-RDC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $72,10 | $84,97 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb (2 GB) | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (PC4-25600 class) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Package Body | Rectangular, 8 mm width | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals (Balls) | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask (DM) Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |